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真空共晶回焊炉合用领域: 功率半导体封装(IGBT、晶闸管、MOSFET等) MEMS封装 大功率器件封装焊接、激光半导体真空封装 芯片真空焊接(芯片与基板、盖板与管壳) 气密性封装及资料试验等
135-1032-6713 立即征询
真空共晶回焊炉合用领域:
1、功率半导体封装(IGBT、晶闸管、MOSFET等)
2、MEMS封装
3、大功率器件封装焊接、激光半导体真空封装
4、芯片真空焊接(芯片与基板、盖板与管壳)
5、气密性封装及资料试验等
真空共晶回焊炉HSM 系列特点:
1、HSM系列半导体真空回流焊以进口平台,精心打造,拥有自主知识产权,突破国际关闭和垄断的半导体焊真空焊接设备,产品针对SOPSOT、DIP、QFN、QFP、BGA、IGBT、TO、MINI LED 等真空芯片封装焊接。
2、2、HSM系列半导体真空回流焊选取工控嵌入式节造系统,系统选取双CPU运算,能够脱离电脑(电脑死机)独立运行
不仅不变靠得住并且温度节造越发精确。
3、针对客户产品提供可更换加热?,有效解决温差导致炸锡景象。
4、分步抽真空设计,最多可分5步抽真空
5、最大真空度能够达到 0.1KPa,Void Sinale<0.5%,Total<1%。最快循环功夫 25s /per cycle、真空回流焊行业效能最高
6、热机功夫约30min
7、美满四配ASM及国内DB设备
8、独家zhuanli的Fux锡育自动回收系统,削减设备守护和算帐
9、设备支持关键焊接参数的配方职能、支持MES远程数据读取。
10、智能氨气监测和节造系统,不只节约;て,并且氧气含量更低.
11、zhuanli密封圈水冷结构,不仅寿命更长,使用成本更低,并且削减了密封不良造成的昂贵的产品败坏。

zhuanli?榧尤冉峁埂⑽露冉谠煸椒⒕肌⑿幸滴驴匚虏钭钣住⒑附映尚Ц媒掀鹇涓叨群驮耸溲∪〔浇欧无极调速,能够匹配分歧产品的出产需要美满的;て寮幼⒂敕掀厥战峁,让炉内;て逶椒⒕,炉膛越发清洁进料选取无尘滚轮+进料改过机构和预热区美满结合,能够实现产品正确移动到加热器中央独立氮氢混合气体注入系统实现预热区注入氨气、焊接区注入氨氢混合气体,不仅越发节约并且;こ尚Цzhuanli收料;せ,当料框变形收料卡板时,自动转存到备用料框,不仅不会耽搁出产,还能预防产品在炉内败坏
共晶回流炉根基参数
设备型号:HTC-612D HTC-613D
设备尺寸(mm):L6300*D1450*H1560 L6300*D1450*H1560
机械沉量 :APPROX:3000KG APPROX:3100KG
加热区数量 :上6个下6个 上6个下6个
冷却区数量:上2个下2个 4个冷却区 上3个下3个 6个冷却区
冷却方式 强造冰凉 强造冰凉
排风要求:10m3/H*2 10m3/H*2
浮泛率: APPROX:1%-2% APPROX:1%-2%
节造系统
电源要求:3P 380V 50/60Hz 3P 380V 50/60Hz
总功率 :60KW 64KW
分段启动功率: 35KW 35KW
亏损功率: APPROX:12KW-18KW APPROX:13KW-18KW
热风机调速 娈频无极调速 变频无极调速
升温功夫 :APPROX:30min APPROX:30min
温度节造领域 :室温~400°C可设置 室温~400℃C可设置
出产配方 可贮存多组合出产配方 可贮存多组合出产配方
运输系统
轨路对数:单轨 单轨
轨路结构 :3段组合结构 3段组合结构
载具尺寸(mm):L330*D250 L330*D250
运输带高度(mm):900±20 900±20
运输方式:等距推板、等距推板
真空系统
低真空压力:0.1Kpa 0.1Kpa
真空泵流量 :APPROX:1000L/min APPROX:1000L/min
泄压功夫 :≤10s ≤10s
出产效能 :≥40s 240s
选配氮气系统
氮气结构 全程/部门充氮 全程/部门充氮
氮气系统 :自动或手动可切换 自动或手动可切换
氮气亏损量 :APPROX:300-500L/min APPROX:300-500L/min
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